三星2030年目标：突破1000层NAND，400层晶圆键合技术已亮相

　　三星电子DS部门的首席技术官宋在赫，在国际固态电路会议（ISSCC）上发表了重要讲话，并披露了一系列创新技术。此次会议于旧金山举行，吸引了众多业内人士的关注。

　　宋在赫详细介绍的技术中，最为引人注目的是晶圆键合技术。这项技术将用于提升NAND闪存的堆叠层数，有望从当前的400层起步，进一步迈向1000层以上的新高度。他特别指出，键合技术能够在NAND区域实现超过1000层的堆叠，这在业界尚属首次。

　　为了直观展示这一技术的潜力，宋在赫还公开展示了一份名为“Multi-BV NAND”结构的PPT。该结构通过堆叠四片晶圆（2+2）的方式，打破了传统结构的限制，为实现更高层数的NAND闪存提供了可能。

　　值得注意的是，三星电子并非唯一一家致力于提升NAND闪存堆叠层数的企业。全球第二大NAND闪存制造商铠侠也在积极研发类似技术，其目标是到2027年开发出1000层的3D NAND。而在中国，长江存储同样在这一领域取得了显著进展，其“Xtacking”技术已经在量产的270层NAND闪存中得到应用。

　　业内人士指出，传统的单元堆叠方式在单个晶圆上的堆叠层数有限，大约只能达到500层左右。因此，要实现三星所承诺的1000层NAND，必须采用多片晶圆堆叠的方式。事实上，三星早在2022年的技术日上就已经承诺，将在2030年之前开发出1000层的NAND。

　　除了晶圆键合技术外，三星还展示了其他两项创新技术：低温蚀刻和钼沉积。低温蚀刻技术预计将被用于400层或以上的NAND通孔制造中，目前已有东京电子和Lam Research等公司正在开发相关设备。这一技术的特点是能够在极低的温度下保持高速蚀刻，从而减少堆叠问题。

　　另一项创新技术是钼沉积。三星计划将钼元素引入字线材料中，以取代传统的钨和氮化钛材料。这一改变将大幅降低晶体管的电阻率，从而提升NAND闪存的性能。据业内人士透露，使用钼可以进一步减少层高30%至40%，目前已有相关设备厂商在这一领域展开竞争。

　　随着这些新技术的应用，材料市场也将迎来一场大变革。新一代NAND闪存的生产将不仅涉及前驱体的变革，还将对蚀刻液剂、动力气体等材料产生重大影响。这一变革将推动整个半导体产业链的发展和创新。