三星计划到2026年底将1c DRAM月产能扩大至20万片，意在重夺市场领导地位

　　11 月 19 日消息，韩国 ETNews 昨日报道称，为重夺 DRAM 市场领导地位，三星计划到 2026 年底将其 10nm 第六代 DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到 20 万片（晶圆），将达到公司整体 DRAM 总产量的三分之一。即便说三星 DRAM 业务重心明年将转移至 1c 也毫不为过。

　　据 ETNews 称，三星电子今年前三季度已经连续将 DRAM 市场龙头地位拱手让给 SK 海力士。三星将主因归咎于核心 DRAM 业务。公司认定 DRAM 品质直接影响 HBM 竞争力，随即启动大规模设计革新。

　　1c DRAM 正是其努力的结果。消息人士称 1c 近期已获得内部认可，良率达到约 70%，稳定量产（良率 80~90%）指日可待。采用 1c DRAM 制造的 HBM4 良率也被确认突破 50%。

　　另外，三星电子历经艰辛，终于敲定了向英伟达供应 HBM4 的协议，计划从今年第四季度开始交付首批产品。随着 HBM4 需求激增已成定局，该公司正全力投入 1c DRAM 产能建设。

　　服务器、PC 及移动设备用 DRAM 需求同样推动了三星电子的投资布局。其中服务器 DRAM 需求因 AI 数据中心投资扩张而暴增。随着数据中心运营商竞相投入基础设施以实现 AI 服务，服务器 DRAM 价格也正急剧攀升。

　　同时，增长放缓的 PC 和移动市场也正悄然复苏。这得益于端侧 AI 的兴起。注意到，要想在终端设备上运行 AI 计算，大容量内存势在必行。这意味着 DRAM 需求将大幅增加。PC 和移动设备市场也将成为支撑 DRAM 需求的重要支柱，预计将引发供应短缺。

　　对高性能内存的强劲需求，正是三星扩大 1c DRAM 生产占比的根本动因。而 1c DRAM 作为三星独有的差异化武器，更加速了这一进程。

　　当竞争对手仍在使用 1b DRAM 时，三星已决定采用 1c DRAM 制造 HBM。此举旨在通过领先一代的产品实现逆转。三星正通过大规模扩充产能，试图以 1c DRAM 颠覆市场格局。

　　行业人士指出：“三星电子凭借远超竞争对手的生产能力主导市场，这种战略在 1c DRAM 领域极可能重现。”

　　据介绍，1c 生产将通过扩建与工艺转换推进，其中扩建以平泽第四工厂 (P4) 为核心，目前正处于设备进场与安装阶段。

　　工艺转换则是指将 10 纳米级 1x・1y・1z DRAM 生产线改造为 1c 制造专用产线，属于技术迁移。此举可最大限度利用现有生产线设备，仅引进必需设备，从而快速构建 DRAM 生产线，提升市场响应速度。

　　该方案在投资回报方面具有显著成本节约效益。同时，此举被解读为缩减面临中国激烈追赶的旧代 DRAM 产能，集中力量发展新一代 DRAM 以实现“超差距”战略的决心。据悉，技术迁移工作正以多条生产线同步推进的方式展开。（问舟）