长鑫DRAM份额翻倍、长江NAND跻身全球第三，韩国存储业焦虑加剧

　　国产存储芯片厂商长鑫存储与长江存储的快速崛起，正引发韩国半导体产业的深度焦虑。韩国咨询机构三一普华永道近日发布报告，建议三星电子与SK海力士在通用存储芯片领域强化成本竞争力，同时加大HBM（高带宽存储器）等尖端赛道的投入，以守住利润防线。

　　市场份额的变化已经十分直观。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度，长鑫存储在全球DRAM营收中的份额达到10%，较去年同期的4%实现翻倍，稳居全球第四，仅次于三星（38%）、SK海力士（25%）与美光（24%）。在NAND闪存领域，长江存储出货量首次跻身全球第三，排名仅在三星与SK海力士之后，营收份额从去年同期的9%攀升至14%。

　　SK集团董事长崔泰源此前已公开示警。他表示，如果中国竞争对手或美光加快扩产节奏，韩国厂商的市场份额将面临下滑风险。崔泰源同时质疑美国主导的出口管制能否真正奏效，并指出长鑫存储与长江存储在多年技术限制之下，依然实现了稳步的技术推进。

　　面对压力，韩国存储巨头采取“双线作战”策略。一方面，三星正将西安工厂改造为286层V9 NAND产线，SK海力士则计划在大连工厂生产240层以上NAND产品，以应对长江存储在成熟NAND市场的冲击。不过，由于美国对在华半导体设备出口实施管制，相关设备导入需逐项申请许可证，升级进程仍存在监管层面的不确定性。

　　另一方面，三一普华永道的报告强调，中国厂商在HBM与先进封装等尖端领域仍处于追赶阶段，客户验证与高良率量产仍是核心壁垒，韩国企业必须死守这一利润高地。

　　更值得关注的是，竞争正从通用市场向下一代技术路线蔓延。长鑫存储已宣布将在年底前推出基于4F²架构的服务器DDR5 RDIMM内存。4F²是DRAM存储单元的下一代架构，相比当前行业主流的6F²架构，可将单位面积存储密度提升30%至50%。该架构同样出现在三星与SK海力士的开发路线图中。在这场下一代DRAM架构的竞赛中，率先实现量产的一方，将在成本优势与市场主动权上占得先机。

　　从更长周期看，中国存储厂商正将通用市场所积累的利润持续投入尖端技术研发，韩国存储双雄的利润腹地正面临前所未有的挤压。