俄罗斯国产光刻机路线图曝光：三步走、2036年前完成EUV

　　原标题：俄罗斯国产光刻机路线图曝光：三步走、2036年前完成EUV

　　9月28日消息，俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov公布俄国产光刻机三步走路线图：2026-2028年先造40nm双反射镜机型，套刻10nm，每小时5片；2029-2

　　9月28日消息，据报道，俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov近日分享了俄罗斯最新光刻机研发路线图。

　　根据该路线图，俄罗斯最终目标是在2036年前完成可用于10nm以下先进制程的极紫外线（EUV）光刻机的研发。

　　具体来看分为三个主要阶段：

　　第一阶段（2026-2028年）的目标是研发支持40nm工艺的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精度达10nm，曝光场最大3×3毫米，每小时生产效率超5片晶圆。

　　第二阶段（2029-2032年）将推出分辨率为65-28nm（潜力为14 nm）的光刻机，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至5nm，曝光场26×0.5毫米，每小时生产效率超50片晶圆。

　　第三阶段（2033-2036年）推出分辨率为28-13nm（潜力为9nm）的光刻机，搭载六反射镜配置，套刻精度达2nm，曝光场最大26×2毫米，每小时生产效率超100片晶圆。

　　这些设备预计可覆盖65nm至9nm的制程需求，适配2025-2027年主流关键层工艺。

　　不过需要注意的是，该EUV系统方案并未复制ASML的架构，而是采用了一套不同的技术体系：混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的11.2nm波长反射镜。