三星Exynos 2600芯片温控大考“交卷”：高负载游戏下散热表现亮眼

　　在最新一期的YouTube视频中，Vật Vờ Studio频道的主播Long Ngong对三星Galaxy S26和Galaxy S26+两款手机搭载的Exynos 2600芯片进行了极限测试。结果显示，三星成功解决了长期困扰用户的芯片发热降频问题，展现出显著的温控改进。

　　为了验证Exynos 2600芯片的实际散热能力，Long Ngong在约26℃的室温环境下，将两款手机设置为最高画质，连续运行了《英雄联盟手游》《原神》和《崩坏》三款高负载游戏。测试数据显示，Galaxy S26基础版在运行《英雄联盟手游》时，平均温度仅为32℃左右，表明该芯片在应对常规高画质游戏时表现轻松。

　　在更高负载的测试中，温控表现依然稳定。使用Galaxy S26+运行《原神》超过15分钟后，机身正面最高温度约为38℃，背面温度则稳定在37℃至37.5℃之间。这一结果说明，即使面对长时间的高强度游戏，手机也能保持较低的温度水平。

　　随后，在运行《崩坏》时，尽管游戏帧率偶尔出现波动，但机身正面最高温度仅达到39℃，背面最高温度略超38℃。这一表现进一步证明了Exynos 2600芯片在散热方面的优化效果。

　　Long Ngong指出，三星Galaxy S26/S26+之所以能实现出色的温控表现，主要得益于三项关键技术的应用。首先，Exynos 2600首次采用了三星2nm GAA（全环绕栅极）工艺。这种3D晶体管架构通过垂直堆叠的纳米片让栅极完全包围沟道，从而提升了静电控制能力和整体能效，为芯片的稳定运行提供了基础。

　　其次，该芯片应用了FOWLP（扇出型晶圆级封装）技术。通过晶圆级方法取代传统基板，将输入/输出端子直接集成在硅晶圆上，打造出更薄、更高效的芯片形态，有助于减少热量积聚。最后，Exynos 2600引入了创新的HPB（热传导块）技术。该技术采用与应用处理器（AP）直接接触的铜基散热器，同时将DRAM移至侧面，从而将热阻改善了高达30%，有效提升了散热效率。