三星计划在Exynos 2600采用HPB技术：改善芯片散热 提升性能

　　原标题：三星计划在Exynos 2600采用HPB技术：改善芯片散热 提升性能

　　7月31日消息，据媒体报道，三星已开始试产其下一代旗舰SoC Exynos 2600，标志着该芯片进入原型生产阶段。此次试产采用了三星先进的SF2（2nm）工艺，初期良品率目标设定为50%，但大规模量产需提升至70%以上。

　　为应对高性能芯片的散热挑战，三星计划在Exynos 2600上引入HPB（Heat Pass Block）技术。HPB本质上是一个集成在芯片上的高效散热器，旨在显著提升散热效率，使SoC能够更长时间地维持最高运行频率。

　　与当前直接将DRAM置于SoC之上的封装方式不同，Exynos 2600将同时集成HPB模块和DRAM。这种新设计通过HPB优化热传导路径，从而提高整体散热性能。

　　在HPB顶部，三星还将采用扇出型晶圆级封装（FoWLP）技术，以增强耐热性并支持更强的多核性能表现。FoWLP技术此前已应用于Exynos 2400。

　　根据泄露信息，Exynos 2600将采用“2+6”双丛集CPU架构，包含2个高性能Cortex-X核心和6个Cortex-A核心，最高频率可达3.55GHz。其原型芯片在基准测试中取得了单核约2400分、多核约9400分的成绩。作为对比，搭载Exynos 2500的Galaxy S25+原型机成绩约为单核2359分/多核8141分，显示Exynos 2600初期性能提升幅度有限。

　　三星期望通过HPB等散热技术的应用，帮助Exynos 2600在量产时实现更高的稳定运行频率和更持久的峰值性能输出。